半导体沟槽结构的截面分析

通过Vista-IR对半导体器件中的沟槽结构进行截面制备与成像检测。基于两种材料独特的红外吸收带成功实现区分定位。跨界面区域以10纳米间距采集25组光谱数据，通过分析1100 cm⁻¹特征峰的渐变趋势（第18-20组光谱间发生显著变化），证实该技术可提供空间分辨率低于10纳米的局域化学信息。

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