Semiconductor

埋置于导电层中的银纳米线结构

PiFM image of buried silver nanowire in conductive layer — PiFM image of buried silver nanowire in conductive layer.

保护层下方的银纳米线在原子力显微镜（AFM）形貌图与相图中均不可见。然而通过光诱导力显微镜（PiFM）成像可清晰观测到这些纳米线——这是因为针尖产生的近场场强与导电纳米线有效耦合，即使透过厚度超过100 nm的保护层仍能产生强吸引力。基于相同原理，PiFM还能对介质层下方的金属层进行成像（未展示）。

PiFM image of buried silver nanowire in transparent conductor — 光诱导力显微镜（PiFM）成像技术成功揭示了透明导电薄膜中的银纳米线结构，这些结构在原子力显微镜（AFM）的形貌图与相图中均无法观测。

该透明导体由嵌入透明塑料基底的银纳米线组成。AFM形貌图（左）仅能显示影响表面形貌的纳米线，而埋置于基底的纳米线在形貌成像中无法显现。

PiFM成像（右）通过检测金属纳米线上方丙烯酸酯聚合物在1745 cm⁻¹处的信号增强，精准呈现出埋置纳米线的空间分布。

通过仔细分析PiFM图像，可清晰识别出形貌图中未检测到的埋置银纳米线。这些埋置银金属线对1745 cm⁻¹信号强度的增强效应，能够穿透数纳米厚的绝缘性丙烯酸酯层被有效检测。

透明导体中银纳米线的空间分布测绘

Topogaphy and PiFM image of buried silver nanowire in conductive layer — 透明导电层中埋置银纳米线的形貌与光诱导力显微镜成像。

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