t-BOC化学放大光刻胶中潜在EUV图形的PiFM成像

在t-BOC光刻胶的极紫外（EUV）曝光过程中，曝光区域与未曝光掩膜区域之间会产生形貌差异。光诱导力显微镜（PiFM）分析表明，这些形貌变化伴随着红外活性的改变：特征峰发生6 cm⁻¹的位移，从而形成极强的对比度。利用1280 cm⁻¹处的强信号可识别未曝光区域，而1514 cm⁻¹处的信号（为曝光区域特有）则用于标识曝光区域。

t-BOC化学放大光刻胶中潜在EUV图形的PiFM成像

PiFM Imaging of Latent EUV in t-BOC Chemically Amplified Resist — 与G. Wallraff、M. Sanchez、H. Truong（IBM阿尔马登研究中心）合作开展的t-BOC化学放大光刻胶潜在EUV图形PiFM研究

光诱导力显微镜（PiFM）可通过监测1760 cm⁻¹振动模式信号的衰减，实现曝光区域潜在图形的可视化。实验采用商业EUV光刻胶进行曝光但未显影处理。针对45纳米特征尺寸，由于不存在背景干扰特征，PiFM能提供比原子力显微镜形貌图更清晰的成像。该光刻胶处于极度欠曝光状态，仅引发聚合物的微小变化。虽然欠曝光导致45纳米特征未在形貌图中显现，但PiFM仍能检测到此微小特征引起的化学变化。