半导体器件中的硅应变效应研究

通过硅局部应变增强载流子迁移率是提升晶体管性能的有效手段。为有效验证器件设计与工艺条件，需要实现纳米级应变的直接测量。本研究采用光诱导力显微镜（PiFM）对锗硅线夹持的二氧化硅区域进行真实纳米级应变分布成像。左图横跨线条的反转PiFM剖面以任意单位显示应变水平：可见应变在锗硅线处达到峰值，并随距离增加逐渐弛豫。在两锗硅线之间区域，应变处于被冻结状态，而在距离锗硅线约400纳米处应变完全消失。