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潜像抗蚀剂图像的高空间分辨率化学计量学研究
Es, M., Tamer, M., Bloem, R., Fillinger, L., Zeijl, E., Maturová, K., Donck, J., Willekers, R., Maas, D.,
Research Square
Abstract
在半导体制造中，以极端精度控制剂量和位置的光刻胶图形化是首要关键步骤。然而，如何以足够空间分辨率准确测量现代复杂光刻胶组分的活化状态？没有任何已曝光的纳米级光刻胶图形能够在不改变自身状态的情况下承受强光子或电子束的检测，即使经过处理和显影后也是如此。本文通过实验证明：红外原子力显微镜（IR-AFM）具有足够的灵敏度和轻柔特性，可在显影前对化学放大抗蚀剂中脆弱但极具价值的曝光后光刻图形进行化学记录。因此，IR-AFM计量技术为潜像抗蚀剂图像中各组分的化学与空间分布变化（无论是曝光后即刻还是处理过程中）提供了长期渴求的观测手段。凭借这些即将获得的理解，光刻胶设计与处理工艺有望实现颠覆性加速。