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添加剂对嵌段共聚物光刻中界面宽度与线边缘粗糙度的影响机制研究
Sunday, DF., Chen, X., Albrecht, TR., Nowak, D., Delgadillo, PR., Dazai, T., Miyagi, K., Maehashi, T., Yamazaki, A., Nealey, PF., Kline, RJ.
Chem Mater
Abstract
下一代集成电路图案化面临的挑战正推动半导体行业超越传统光刻方法，以持续实现成本效益化的尺寸微缩。嵌段共聚物（BCPs）的导向自组装（DSA）是一种纳米加工技术，可用于缩减传统光学方法制备图案的周期。具有大相互作用参数（χeff）的BCP可实现更小节距与更窄界面宽度。理论上增大χeff也有望降低线边缘粗糙度（LER）——集成电路的关键性能参数。提升χeff的一种方法是将BCP与相选择性添加剂（如离子液体IL）共混。IL不影响两相的刻蚀速率，因此可直接探究由更高χeff驱动的界面宽度减小是否转化为更低LER。本研究检测了IL对BCP层厚与界面宽度的影响，以及DSA图案化样品中相应的LER变化。结果表明通过添加剂共混提高χeff未必会降低LER，这为未来材料体系明确了重要设计准则。